بررسی و مدل سازی اثر ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (nbti) و تزریق حامل های پرانرژی (hci) در افزاره های چندگیتی نانومتری

در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ (r-d)، مدل هایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (nbti) در یک mosfet سه گیتی کانال p و پدیده تزریق حامل های پرانرژی (hci) در یک افزاره finfet سه گیتی توده کانال n ارائه می­شود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج تجربی مقایسه شده و بستگی تغییرات توان زمان در مدل با ابعاد و شکل افزاره بررسی می شود. نتایج به دست آمده در مقاله بیانگر این است که در افزاره­های سه گیتی به علت ساختار افزاره و اثر گوشه­های بدنه، تولید تله در اثر پدیده­های nbti و hci، نسبت به افزاره های mosfet مسطح بیشتر و طول عمر افزاره کمتر می­باشد. همچنین در ادامه اثر بدنه شناور روی پدیده nbti در یک افزاره mosfet دوگیتی با استفاده از روش حل یک بعدی معادله پواسون در ناحیه ی وارونگی مدل می شود و با حالت وجود اتصال بدنه مقایسه می شود. نتایج حاصل با استفاده از روش حل عددی fdm تأیید می شود و نتایج حاصل بیانگر این است که به علت تجمع الکترون­های حاصل از تولید تله­ها در اثر پدیده nbti در بدنه شناور و اثر این الکترون­ها در کاهش میدان اکسید، اثر این پدیده در افزاره­های دارای بدنه شناور کم شده و طول عمر افزاره افزایش می یابد.